تکه هایی از متن به عنوان نمونه :
چکیده
شبکه گسترده سیستم قدرت دارای تجهیزات بسیار گران قیمتی می­باشد که از جمله آن می­توان به ژنراتور، بریکر، کابل­های قدرت و ترانسفورماتور اشاره کرد. ترانسفورماتور قدرت به عنوان قلب تپنده این شبکه بوده که همواره تحت تاثیر شرایط بهره ­برداری و محیطی، دچار خطاهای مختلفی شده و در برخی موارد سبب خرابی و خروج از مدار ترانسفورماتور و عدم دسترسی طولانی مدت خواهد شد. در نتیجه برنامه های تعمیر و نگهداری باید به جای مبتنی بر زمان، مبتنی بر شرایط بهره برداری و محیطی گردند که این مسئله خود مستلزم آن می­باشد که از شرایط حال تجهیز نیز آگاه باشیم. لذا استفاده از روش­های نظارت و تشخیص خطا که توانایی ارزیابی شرایط داخلی تجهیزات را دارند، بسیار با اهمیت خواهد بود.
روش­های مختلفی به منظور تشخیص خطا در درون ترانسفورماتور وجود دارد که از آن جمله      می توان به آنالیز گازهای محلول، تخلیه­جزیی و تحلیل پاسخ فرکانسی اشاره کرد. با توجه به محدودیتهای دو روش اول در تشخیص انواع خطا­ها، تحلیل پاسخ فرکانسی یکی از بهترین روش­های موثر در زمینه تشخیص خطا­های الکتریکی و مکانیکی در درون ترانسفورماتور می­باشد. با این حال به دلیل متکی بودن این روش بر مقایسه گرافیکی، تفسیر نتایج حاصله از پاسخ فرکانسی بسیار مشکل بوده و هنوز هیچ رابطه و روش کلی و فراگیر برای طبقه ­بندی وجود ندارد. هدف این پایان نامه تشخیص و طبقه ­بندی خطا­ی ترانسفورماتور با کمک پاسخ فرکانسی و درخت تصمیم می­باشد. با بهره گرفتن از مدل الکتریکی متمرکز ترانسفورماتور قدرت خطا­های مختلفی شبیه­سازی شده و با بهره گرفتن از درخت تصمیم طبقه ­بندی آن­ها صورت گرفته است. نتایج نشان می­ دهند که ترکیب پاسخ فرکانسی به همراه درخت تصمیم دارای دقت و سرعت بالایی نسبت به روش­های دیگر در طبقه ­بندی خطا در ترانسفورماتورهای قدرت دارد.
 
 
واژه‌های کلیدی: ترانسفورماتور قدرت؛ مدل الکتریکی متمرکز؛ پاسخ فرکانسی؛ درخت تصمیم؛ طبقه ­بندی خطا
 

فهرست مطالب
عنوان                                         صفحه
1-        مقدمه 1
1-1- مقدمه 1
1-2- بیان مسئله 2
1-3- مروری بر مقالات 3
1-4- ساختار پایان نامه 6
2-               عوامل خرابی ترانسفورماتور و روش های تشخیص آنها 8
2-1- عوامل خرابی ترانسفورماتور 8
2-1-1-   عوامل خرابی از نگاه سیستمی 8
2-1-2-   عوامل خرابی از نگاه مکان خطا 9
2-2- اجزای ترانسفورماتور و نقش آنها در بروز خطا 10
2-2-1-   خطاهای مربوط به تانک 11
2-2-2-   خطاهای مربوط به هسته 11
2-2-3-   خرابی تپچنجر زیر بار 12
2-2-4-   خرابی بوشینگ 12
2-2-5-   خرابیهای سیمپیچ 12
3-               مدلسازی ترانسفورماتور 17
3-1- تاریخچه مدلسازی ترانسفورماتور 17
3-2- کاربرد مدلهای ترانسفورماتور 18
3-2-1-   تحلیل گذرای سیمپیچ 18
3-2-2-   تحلیل گذرای سیستم 18
3-2-3-   مکانیابی تخلیه جزیی 18
3-2-4-   تحلیل پاسخ فرکانسی 19
3-3- انواع مدلهای ترانسفورماتور 19
3-3-1-   مدل خط انتقال 20
3-3-2-   مدل اندوکتانس نشتی 20
3-3-3-   مدل مبتنی بر اصل دوگان 20
3-3-4-   مدل میدان الکترومغناطیسی 21
3-3-5-   مدل مقاومت اندوکتانس و ظرفیت خازنی هندسی (RLC)(متمرکز)   21
3-4- مدل متمرکز الکتریکی 21
3-5- محاسبه پارامترهای مداری مدل متمرکز 23
3-5-1-   اندوکتانس 24
3-5-2-   مقاوت سیمپیج 28
3-5-3-   خازن 30
3-5-4-   تلفات دی الکتریک 37
4-               پاسخ فرکانسی 39
4-1- مقدمه 39
4-2- تحلیل پاسخ فرکانسی 39
4-2-1-   ضربه ولتاژ پایین 40
4-2-2-   تحلیل جاروب پاسخ فرکانسی 40
4-3- تابع تبدیل 41
4-4- آرایشهای مختلف تست پاسخ فرکانسی 42
4-4-1-   تست نوع اول 42
4-4-2-   تست نوع دوم 42
4-4-3-   تست نوع سوم 43
4-4-4-   تست نوع چهارم 43
4-5- تحلیل مداری مدل متمرکز 43
4-5-1-   مدل متغیر حالت 46
4-5-2-   تعیین تابع تبدیل 47
5-               آنالیز خطا 49
5-1- مقدمه 49
5-2- پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در حالت سالم 49
5-2-1-        تست نوع اول برای سیمپیچ فشارقوی 49
5-2-2-        تست نوع سوم 50
5-3- روش تحلیل اندازهگیریهای FRA 51
5-3-1-   رنج فرکانسی پایین 51
5-3-2-   رنج فرکانسی متوسط 51
5-3-3-   رنج فرکانسی بالا 51
5-4- آنالیز حساسیت 52
5-4-1-   تغییر فاصله بین دیسکی 52
5-4-2-   اثر تغییرات شعاع 54
5-5- اثر عیوب بر نحوه تغییر پاسخ فرکانسی 56
5-5-1-   تغییرات شعاعی 57
5-5-2-   خطای جابهجایی محوری 59
5-5-3-   تغییر فضای بین دیسکها 60
5-5-4-   خطای اتصال حلقه 61
5-6- دیاگرام ولتاژ- جریان 62
6-                  الگوریتم های طبقه بندی 65
6-1- مقدمه 65
6-2- انتخاب سیستم خبره 66
6-2-1-   شبکه های عصبی 66
6-2-2-   درخت تصمیم 67
6-3-       شاخصها 72
6-3-1-   شاخصهای آماری 73
6-3-2-   شاخصهای سیگنالی 74
6-4- پیادهسازی درخت تصمیم به منظور طبقهبندی خطا در ترانسفورماتور 76
6-4-1-   سناریو اول 77
6-4-2-        سناریو دوم 82
7-               نتیجه‌گیری و پیشنهادات 88
7-1- نتیجه‌گیری 88
7-2- پیشنهادات 90
پیوست الف- وابستگی نفوذپذیری مغناطیسی با فرکانس 91
پیوست ب- محاسبه ظرفیت خازنی سری در سیمپیج دیسکی 93
ب- 1: ظرفیت خازنی معادل دور به دور در یک دیسک 93
ب- 2: ظرفیت خازنی معادل دیسک به دیسک 93
پیوست ج- تحلیل مداری مدل متمرکز 95
ج-1- معادله دیفرانسیل برای ظرفیت خازنی 95
ج-2- معادله دیفرانسیل برای اندوکتانس 95
ج-3- محاسبات ولتاژی و جریانی 96
ج-4- تعریف ماتریسهای عناصر مداری با توجه به درخت 97
پیوست د- آشنایی با عملکرد درخت تصمیم 101
پیوست ی- مشخصات فنی ترانسفورماتور 106
 
فهرست علایم و نشانه‌ها
عنوان                                 علامت اختصاری
شار ماکزیمم
ولتاژ اعمالی به سیم­پیچ
فرکانس
تعداد دورهای سیم­پیچ فشار قوی
تعداد دورهای سیم­پیچ فشارضعیف
نیروی الکترومغناطیسی
طول مسیر مغناطیسی
جریان سیم­پیچ
چگالی شار
مقاومت سری فشارقوی
مقاومت سری فشارضعیف
اندوکتانس مرکب سری فشارقوی
اندوکتانس مرکب سری فشارقوی
ظرفیت خازنی سری سیم­پیچ فشارقوی
ظرفیت خازنی سری سیم­پیچ فشارضعیف
ظرفیت خازنی موازی سیم­پیچ فشارقوی با زمین
ظرفیت خازنی موازی سیم­پیچ فشارضعیف با زمین
ظرفیت خازنی بین سیم­پیچ­های فشارقوی X , Y
ظرفیت خازنی بین سیم­پیچ­های فشارقویY , Z
رلوکتانس مدارمغناطیسی
سطح مقطع متوسط هسته
ضریب نفوذپذیری مغناطیسی هسته
اندوکتانس فاز X
رلوکتانس بخش مغناطیسی
بخش مغناطیسی اندوکتانس فاز X
طول مسیر مغناطیسی ستون هسته
طول مسیر مغناطیسی یوغ هسته
اندوکتانس نشتی کلی فاز X
اندوکتانس کل(مغناطیسی و نشتی) فاز X
ضریب پراکندگی
ثابت نسبت مقیاس
نفوذپذیری مختلط مغناطیسی
نفوذپذیری مغناطیسی نسبی
ثابت انتشار
ضخامت ورقه هسته
بخش حقیقی نفوذپذیری
بخش حقیقی نفوذپذیری
امپدانس سیم­پیچ با هسته هوایی
مقاومت سیم­پیچ با هسته هوایی
اندوکتانس با هسته هوایی
رلوکتانس کویل فاز X
رلوکتانس پنجره هسته
 
رلوکتانس مغناطیسی بخش پنجره هسته
شعاع سیم­پیچ i ام
اتفاع بین دو سیم­پیچ
مقاومت پوستی
مقاومت مستقیم
مقاومت مجاورت
رسانایی
عمق نفوذ
ضریب گذردهی الکتریکی خلا
ضریب گذردهی نسبی الکتریکی محیط
ارتفاع تغییر یافته سیم­پیچ
شعاع داخلی سیم­پیچ
شعاع خارجی سیم­پیچ
ضریب گذردهی الکتریکی مختلط
تعداد طبقات مدل الکتریکی متمرکز
ظرفیت خازنی بین دورهای یک دیسک
ظرفیت خازنی بین دورهای یک دیسک
ضخامت هادی در هر دیسک
تعداد دورهای یک دیسک
تعداد دیسک­های ادغام شده
مقاومت سری در مدل متمرکز
مقاومت سری تبدیل شده
کنداکتانس موازی در مدل متمرکز
آنتروپی
آنتروپی نرمالیزه شده
انرژی
انرژی نرمالیزه شده
مرکز ثقل بیضی
 
 
 
 
فهرست جدول‌ها
عنوان                                         صفحه
جدول ‏3‑1: ماتریس اندوکتانس ترانسفورماتور سه فاز 25
جدول ‏3‑2: مقادیر گذردهی الکتریکی مواد در 2محیط روغنی و بیروغن[8] 33
جدول ‏6‑1: مقادیر نرمالیزه شده ویژگی های مورد استفاده – یک حالت برای هر خطا 78
جدول ‏6‑3: مقایسه شش درخت تصمیم 86
 
فهرست شکل‌‌ها
عنوان                                         صفحه
شکل ‏2‑1: میزان تاثیر اجزای ترانسفورماتور در رخداد خطا]2[ 11
شکل ‏2‑2: شماتیک ترانسفورماتور سه ستونه با اتصال حلقه[37]   13
شکل ‏2‑3: توزیع شار نشتی و نیروهای شعاعی و محوری ایجاد شده توسط آن 14
شکل ‏2‑4: برش از بالا- نیروی وارده بر استوانه سیم پیچ 14
شکل ‏2‑5: تغییر شکل-سمت راست: Free- سمت چپ: Force. 15
شکل ‏2‑6: جابه جایی محوری سیم پیچ ها نسبت به هم 15
شکل ‏2‑7: تغییر فضای بین دو دیسک متوالی 16
شکل ‏3‑1: اولین مدل ترانسفورماتور[40] 17
شکل ‏3‑2: مدل متمرکز الکتریکی ترانسفورماتور برای فاز X[46] 22
شکل ‏3‑3: مدار مغناطیسی معادل ترانسفورماتور سه فاز 24
شکل ‏3‑4: وابستگی مقادیر حقیقی و موهومی نفوذپذیری مغناطیسی به فرکانس 26
شکل ‏3‑5: توزیع چگالی شار مغناطیسی در پنجره هسته(از سمت فشارضعیف به طرف فشارقوی)[35] 28
شکل ‏3‑6: بخشهای iام و jام سیمپیچ 28
شکل ‏3‑7: مقاومت کل متغیر با فرکانس سیمپیچ فشارقوی 30
شکل ‏3‑8: برش از بالا- نحوه قرارگیری سیم پیچ ها و تانک ترانسفورماتور 30
شکل ‏3‑9: خازن استوانهای 31
شکل ‏3‑10: سیستم عایقی بین سیم پیچ فشارقوی و فشارضعیف 32
شکل ‏3‑11: مدل ساده شده سیستم عایقی 32
شکل ‏3‑12: برش بالای استوانه های موازی 33
شکل ‏3‑13: هادی استوانه ای در برابر صفحه زمین شده 34
شکل ‏3‑14: ظرفیت های خازنی دوربه دور و دیسک به دیسک در سیم پیچی دیسکی[46] 35
شکل ‏3‑15: یک جفت دیسک سیم پیچ فشارقوی[46] 36
شکل ‏3‑16: سیستم عایقی ساده شده بین دیسکی[53] 36
شکل ‏3‑17: مدار ساده شده به منظور محاسبه ظرفیت خازنی سری   37
شکل ‏4‑1: پیکربندی تست نوع اول[52] 42
شکل ‏4‑2: پیکربندی تست نوع سوم[52] 43
شکل ‏4‑3: درخت نرمال توصیفی مدل متمرکز الکتریکی ترانسفورماتور[46] 44
شکل ‏5‑1: پاسخ فرکانسی برای فازهای A و B در حالت سالم در تست نوع اول 50
شکل ‏5‑2: پاسخ فرکانسی برای فازهای A و B در حالت سالم در تست نوع سوم 51
شکل ‏5‑3: اثر افزایش فاصله بین دیسکی بر پاسخ فرکانسی 53
شکل ‏5‑4: اثر کاهش فاصله بین دیسکی بر پاسخ فرکانسی 53
شکل ‏5‑5: اثر افزایش شعاع سیم پیچ فشارقوی بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی 54
شکل ‏5‑6: اثر کاهش شعاع هر دو سیم پیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی 55
شکل ‏5‑7: اثر افزایش شعاع هر دو سیم پیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی میانی 55
شکل ‏5‑8: اثر افزایش شعاع هر دو سیم پیچ بر پاسخ فرکانسی در رنج فرکانسی بالا 56
شکل ‏5‑9: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور در تست نوع اول برای فاز A در حالت سالم، تغییر شکل درجه یک و درجه دو 58
شکل ‏5‑10: پاسخ فرکانسی ترانسفورماتور تست نوع اول فاز A در حالت سالم، جابه جایی شعاعی درجه یک و درجه دو 59

استان قم
 

استاد راهنما:
 

دکتر نصراله خلیلی تیرتاشی
 

استادان داور:
 

دکتر سیدمحمد فاطمی‌نژاد، دکتر سیدعباس کاظمی

چکیده
   امروزه دانشگاه‌ها علاوه بر پژوهش و آموزش به ایفای نقش در جهت مأموریت جدید مشارکت در توسعه اقتصادی جامعه نیز می‌پردازند. در پژوهش حاضر تلاش شده است با ارائه چارچوبی، فرآیند تجاری‌سازی و نتایج تحقیقات دانشگاهی را توضیح و عوامل مؤثر در تجاری‌سازی یافته‌های رشته مدیریت را در سطح دانشگاه‌های استان قم بررسی و با توجه به اهمیت آنها اولویت‌بندی می‌نماییم.
   جامعه آماری شامل دانشجویان رشته مدیریت دانشگاه‌های استان قم به تعداد6100 نفر، روش نمونه‌گیری خوشه‌ای چند مرحله‌ای و تعداد نمونه آماری تحقیق 349 نفر می‌باشد. پژوهش حاضر از حیث هدف، کاربردی و از حیث ماهیت توصیفی پیمایشی می‌باشد. نتایج بدست آمده از این پژوهش بر گرفته از یک پرسشنامه 32 سؤالی است که پایایی آن بوسیله روش آلفای کرونباخ به مقدار 813/0 محاسبه و روایی پرسشنامه توسط اساتید محترم تأیید شده است.
   پژوهش حاضر، مشتمل بر هشت فرضیه فرعی در قالب دو بخش کلی عوامل درون سازمانی و عوامل برون سازمانی بوده که با توجه به تجزیه و تحلیل داده‌ها و بررسی نتایج آزمون فرضیه‌های تحقیق، مشخص گردید که دلایلی برای رد متغیرهای مستقل مطرح شده در فرضیات به عنوان مؤلفه‌های مؤثر در تجاری‌سازی یافته‌های رشته مدیریت، یافت نشد.
کلمات کلیدی:  تجاری‌سازی دانش، انتقال فناوری، دفاتر انتقال فناوری، مکانیزم‌های تجاری‌سازی دانش.
1-1- مقدمه
   نقش دانشگاه‌ها چیست؟ آیا دانشگاه‌های امروزی با آنچه که در گذشته بودند متفاوت شده‌اند یا خیر؟ دید جامعه به دانشگاه‌ها چگونه است و چه انتظاراتی از آنها دارند؟
   دانشگاه‌ها به یقین پیچیده‌ترین نهادهایی هستند که تضمین کننده آینده ملت‌ها می‌باشند و به عنوان الگو و اسوه‌ی سایر نهادها قلمداد شده‌اند و در اکثر کشورهای جهان به عناصر اجتماعی مورد احترام بخش‌های خصوصی و دولتی تبدیل گشته‌اند (ایوبی و همکارانش،2:1380).
 با توجه به نقش کلیدی این نهادها، همواره در هر عصری متناسب با شرایط سیاسی و اقتصادی و فناوری و . در جهان، اهداف و رسالت‌های نوینی را بر عهده می‌گیرند.
   نگاهی به تاریخچه دانشگاه‌ها و سیر تحولات نظام‌های آموزش عالی نشان دهنده این موضوع است که دانشگاه‌ها و سیستم آموزش عالی همچون سایر بخش‌های جامعه همراه با روند تغییرات در جوامع بشری دگرگونی‌هایی در نقش و کارکردهای خود داشته‌اند و در تلاش بوده‌اند که خود را با الزامات نقش‌های جدید سازگار کنند. محدودیت‌های منابع، نفوذهای سیاسی و فشارهای رقابتی در این تغییرات تأثیر گذارند (Nagy & Robb,2007:1).
   از جمله این تحولات، می‌توان به افزوده شدن نقش پژوهش بر وظایف سنتی دانشگاه‌ها در اواخر سده نوزدهم میلادی ابتدا در دانشگاه‌های آلمان و سپس در سایر دانشگاه‌های جهان اشاره کرد. در همین رابطه اتزکویتز بیان میکند: «در ابتدا دانشگاه‌‌ها تنها نقش آموزش نیروی انسانی را بر عهده داشتند که با تغییر اوضاع و نیازهای جوامع، در اواخر سده نوزدهم نقش پژوهش نیز به آن افزوده شد. از این پدیده با عنوان “انقلاب نخست” دانشگاه‌ها یاد می‌شود که طی آن پژوهش، افزون بر وظیفه سنتی آموزش، به کارکردهای دانشگاه افزوده شد»(Etzkowitz,2003:110).
   کاهش بودجه‌های عمومی پژوهش به دنبال پایان جنگ سرد (Baldini et al,2007:519)، از دیگر تحولاتی بود که تأثیری عمیق بر نقش و کارکرد دانشگاه‌ها برجای گذاشت. دانشگاه‌ها دیگر نمی‌توانستن به صرف اتکا به بودجه‌های دولتی و بدون توجه به صرفه اقتصادی و بازگشت سرمایه به انجام پژوهش‌ها مبادرت ورزند. همین امر باعث شد تا دانشگاه‌های مدرن برای دستیابی به بخش‌های خصوصی برای کسب سرمایه‌های بیشتر، به فعالیت‌های تجاری و کسب و کار روی آورند (Mok,2005:540).
   بررسی نقش و کارکرد دانشگاه در توسعه اقتصادی جوامع مختلف، نشان دهنده بروز تحولات شگرفی است که جهان را با فاز جدیدی از توسعه تحت عنوان اقتصاد مبتنی بر دانش روبرو ساخت. اتزکویتز[1] نشان داد که براساس پویایی درونی و الزامات محیطی، نظام دانشگاهی با دو انقلاب مواجه گشت: انقلاب اول در اواخر قرن نوزدهم در کشور آلمان اتفاق افتاد که طی آن دانشگاه‌ها علاوه بر فعالیت‌های آموزشی، در زمینه تحقیقات نیز فعال شدند و به تولید دانش نیز اقدام نمودند. انقلاب دوم در اواخر قرن بیستم براساس ظهور نوآوری‌های مبتنی بر علم بوقوع پیوست که به طبع آن دانشگاه عهده‌دار مأموریت سوم (توسعه اقتصادی) شد. در این فرآیند، دانشگاه‌ها دچار تغییراتی در ساخت و کارکرد خود از جمله آموزش کارآفرینی، تحقیق گروهی، توسعه نوآوری فناورانه، ادغام گروه‌های تحقیقات علمی با شرکت‌های صنعتی و روابط نزدیک‌تر با صنعت شدند. از طرف دیگر بنگاه‌های اقتصادی برای حفظ بقاء و موفقیت بلند مدت خود نیازمند دستیابی به فناوری جدید هستند تا بتوانند ضمن حفظ مزیت رقابتی به درآمدهای بیشتر دست یابند. این امر به واسطه تغییر در نگرش به تولید دانش است.
   دانش در عصر اقتصاد دانش‌بنیان[2] به عنوان موتور محرک اقتصاد، عامل ارتقای بهره‌وری و حل مسائل اقتصادی، اجتماعی، سیاسی، فرهنگی و زیستی، دارای اهمیت ویژه‌ای است. در اقتصاد دانش‌بنیان، نظام پژوهش و تولید علم به عنوان مخزن و مرکز اساسی دانش، منابع بالقوه ایده‌هایی است که این ایده‌ها بایستی به محصولات مورد نیاز جامعه و بازار تبدیل شوند. در این دیدگاه افزایش نوآوری ملی تنها با افزایش کمیت پژوهش و طرح‌های پژوهشی محقق نمی‌شود و اتصال دستاوردهای نظام پژوهشی به نظام بازار از مصادیق و الزامات نوآوری است.
   رقابت در بازار فناوری محور امروز جهان مستلزم ادغام دانش‌های نوین با صنعت است. صنعتی که بی‌بهره از دانش روز باشد، محکوم به زوال و دانش بدون کاربرد در صنعت همچون عالم بی‌عمل که به زنبور بی‌عسل تشبیه شده است، بی‌‌ارزش قلمداد می‌شود و این موضوع اهمیت پیوند میان دانشگاه و صنعت[3] را آشکار می‌سازد. بی‌هیچ تردیدی آنچه امروز محور اصلی سیاست‌گذاری‌های ملی توسعه را تشکیل می‌دهد، پیوندهای اصولی، منطقی و هدفمند دانشگاه و صنعت است (محمودی، 9:1388).
   شاه کلید دنیای امروز، خلق ارزش است؛ راهکار ورود به دنیای کسب و کار امروزی، فناوری است و شاه کلید فناوری، تجاری‌سازی و ارزش‌افزوده ناشی از آن می‌باشد. به عبارت دیگر تجاری‌سازی ایده‌های تحقیقاتی حلقه اتصال فناوری و بازار است و تمرکز آن بر حلقه‌های انتهای زنجیره ارزش می‌باشد (موسایی، صدرائی، بندریان، 8:1387).
   تجاری‌سازی دانش و فناوری برخواسته از تحقیق و توسعه یکی از کارکردهای اصلی دانشگاه کارآفرین به شمار می‌رود. تجاری‌سازی فرآیندی است که به موجب آن ایده، اختراع، دانش و فناوری برخواسته از تحقیق به تولید کالا و خدمات جدید قابل عرضه در بازار یا بهبود محصولات و فرآیندهای جاری منجر می‌شود و در نتیجه پتانسیل دانش و فناوری و نوآوری‌های علمی به طور کامل محقق می‌شود. لاندری[4] و همکاران (2006)، تجاری‌سازی دانش را در کنار انتشار دانش از طریق همایش‌ها و انتشارات علمی و آموزش نیروی کار ماهر جزو یکی از سه ساز و کار عمده دانشگاه برای انتقال دانش معرفی نموده‌اند که می‌تواند به صورت فعالیت‌های مشاوره‌ای، قراردادهای تحقیقاتی با صنعت، به ثبت‌رسانی و تشکیل شرکت‌های انشعابی صورت می‌گیرد.
   سهیم کردن پژوهشگران در دستاوردهای ناشی از تجاری شدن پژوهش‌های آنان یکی از عوامل مؤثر در توسعه امر پژوهش در کشورهای توسعه یافته است.
   هر سال بالغ بر 1000 میلیارد دلار در دنیا صرف تحقیق و توسعه می‌شود که این رقم حدود 2 درصد تولید ناخالص داخلی دنیا را تشکیل می‌دهد و در برخی از کشورهای توسعه یافته این رقم به 4 درصد GDP[5]آنها نیز بالغ می‌شود. افزایش حجم تجارت جهانی در دو دهه اخیر و رسیدن آن به مرز 31 تریلیون دلار عمدتاً ناشی از تجاری شدن دستاوردهای پژوهشی است. محققان به طور مستمر تلاش می‌کند که کالاهای جدیدی ابداع و به بازار عرضه کنند که مشابه آنها قبلاً وجود نداشته باشد یا از ویژگی‌های نوینی برخوردار باشند.
   در دانشگاه‌ها و مؤسسات تحقیقاتی بدون تجاری‌سازی یک دستاورد، تحقیقات معنایی ندارد. زیرا بدون دستیابی به مشتریان خاص یک دستاورد، تولید و یا انجام آزمایش، در مورد یک ایده بی‌فایده خواهد بود.
   بازاریابی[6] و فرآیند تجاری‌سازی، مرحله نهایی فرآیند نوآوری را تشکیل می‌دهند. این دو عنصر برای دستیابی به موفقیت هر اختراعی، لازم می‌باشند. در سال‌های اخیر از دیدگاه اقتصاد جهانی نقش سنتی دانش در پژوهشگاه‌ها و دانشگاه‌ها به عنوان تولید کننده و نقش دهنده علم، دانش و ایده‌های نو مورد تجدید نظر قرار گرفته است. از طرف دیگر با کاهش حمایت مالی دولت‌ها از تحقیق به تدریج پژوهشگران به سوی پشتیبانی بخش صنعت و تجاری‌سازی ایده‌هایشان گرایش پیدا کرده‌ا‌ند. عدم حمایت کافی دولت به مرور ماهیت تحقیق را از حالت مستقل و مبتنی بر مفاهیم نظری، به سمت تلاش‌های همسو با تجاری‌سازی، سوق داده است.
   در ادبیات بازاریابی و مطالعه بازار، مطالعات زیادی در مورد چگونگی تجاری‌سازی محصولات صورت گرفته است. در مقایسه با تجاری‌سازی سایر محصولات، تجاری‌سازی ایده‌های جدید بالاخص ایده‌های مربوط به فناوری‌های نوین کمتر مورد توجه قرار گرفته است.
   بنابراین، تجاری‌سازی دستاوردهای پژوهش‌های علمی و فناوری در اقتصاد دانش‌بنیان از حیث مشروعیت و کارآمدی نظام پژوهشی و رفاه مردم و جامعه، دارای جایگاه و اهمیت ویژه‌ای است. به طوری که تجاری‌سازی نتایج پژوهش‌ها و فناوری می‌تواند به تحقق مأموریت کارآفرینی دانشگاه‌ها و نظام علمی کشور نیز کمک کند. از سوی دیگر، واقعیت این است که تجاری‌سازی دستاوردهای پژوهشی و فناوری بایستی در یک محیط رقابتی واقعی و در فضای فرصت‌های زودگذر و تهدیدات پایدار انجام شود.
   از سوی دیگر، بیانیه‌ جهانی آموزش عالی که در سال 1998 میلادی توسط یونسکو[7] منتشر شد، فشار وارده بر انتقال تجاری دانش از دانشگاه‌ها به صنعت را افزایش داد (ابویی و همکارانش، 2:1380). بیانیه مذکور مراکز آموزش عالی و دانشگاه‌های کشورهای جهان را به همگرایی بین‌المللی دعوت نمود.
   اگر چه اهمیت و ضرورت تجاری‌سازی نتایج تحقیقات با توجه به جایگاه آن در سند برنامه چهارم توسعه اجتماعی و اقتصادی کشور و با اهداف تعیین شده از طرف وزارت علوم تحقیقات و فناوری، برای بخش دانشگاهی کشور محرز است ولی جهت دستیابی به آن نیاز به شناخت بیشتری از شرایط زمینه‌ساز و عوامل کسب موفقیت در این زمینه است.
   سعی ما این است که این پایان‌نامه بتواند مؤلفه‌های مؤثر بر تجاری‌سازی نتایج و یافته‌های تحقیقات دانشگاهی را شناسایی کند و امید است که با ارائه راهکارهای مناسب و سازنده در جهت بهبود وضعیت تجاری‌سازی ایده‌ها و تحقیقات دانشگاهی قدمی مؤثر به نزدیک شدن کشور عزیزمان ایران به اهدافش بردارد.
1-2- بیان مسئله
   به طور قطع یکی از دلایل اصلی سرعت پیشرفت توسعه فناوری در کشورهای پیشرفته صنعتی توجه به فرآیند تجاری‌سازی نتایج تحقیق داخلی آن کشورها بوده است و می‌توان نتیجه گرفت که توجه به این معنا برای کارگزاران ملی، مدیران تحقیق و توسعه، مدیران پروژه و به طور کلی مدیران فناوری در کشورها که تحقیقات صنعتی در آن هنوز نوپاست و چشم‌اندازهای آتی آن امید آینده‌ای روشن و تابناک را می‌دهد، امری ضروری است.

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :
چکیده
نوسان‌سازها از جمله مهمترین اجزای تشکیل دهنده­ی سیستم­های مخابراتی می­باشد. از آنجایی که نویز فاز یکی از پارامترهای مهم تعیین کننده­ کیفیت یک نوسان‌ساز می­باشد، طراحی نوسان‌سازهایی با نویز فاز کمتر از اهداف مهم طراحان است. در میان اسیلاتورهای مختلف، نوسان‌سازهای Cross-Coupled LC بدلیل عملکرد نویز فاز بهتر، مصرف توان کمتر، ساختار تفاضلی و پیاده­سازی آسان آن نسبت به سایر نوسان‌سازها نقش مهمی را در طراحی مدارات فرکانس بالا ایفا می­ کند. تلاش­های زیادی در راستای کاهش نویز فاز این نوسان‌سازها صورت گرفته است و تکنیک­های مختلفی نیز ارائه شده است. یکی از روش­های موثر کاهش اثر نویز ترانزیستور در فاز خروجی نوسان‌ساز، بهینه کردن فرم جریان آن می­باشد. در این پایان نامه ابتدا به بررسی نوسان‌ساز LC و منابع نویز آن پرداخته و سپس تکنیک شکل­دهی جریان ترانزیستورها و نقش آن در کاهش نویز فاز نوسان‌ساز بیان شده است. در ادامه ساختار جدیدی برای نوسان‌سازهای Cross-Coupled LC ارائه گردیده است که در آن جریان درین ترانزیستورهای زوج تفاضلی برای کاهش نویز فاز شکل دهی شده ­اند. از آنجایی که وقتی خروجی ها در نقاط پیک خود قرار دارند منابع نویز کمترین سهم در نویز فاز را دارند، جریان درین ماکزیمم مقدار را دارد و در نقاط گذر از صفر خروجی که حساسیت فاز خروجی به نویز تزریق شده بیشترین مقدار خود را دارد، ترانزیستورها خاموش شده و یا حتی­الامکان جریان ناچیزی را هدایت کنند. بدین طریق سهم نویز فاز ادوات فعال کاهش می­یابد. در پایان معادله نویز فاز ساختار معرفی شده نیز استخراج گردیده است و نقش کاهش زاویه­ی هدایت ترانزیستورها در کاهش نویز فاز بررسی شده است.
برای ارزیابی تکنیک معرفی شده، یک اسیلاتورLC در فرکانس مرکزی 2GHz در تکنولوژی TSMC CMOS 0.18µm در نرم افزار Agilent ADS طراحی و شبیه­سازی شده و مورد ارزیابی قرار گرفته است نتایج آزمایش‌ها نشان می­دهد اسیلاتور پیشنهادی علاوه بر کاهش قابل توجه نویز فاز از نظر FOM نیز بر اسیلاتور­های کلاسیک برتری دارد.
 
واژه‌های کلیدی
نویز فاز، نوسان‌سازهای LC، شکل دهی جریان ترانزیستور ، تابع حساسیت ضربه
 
 
 
فهرست مطالب
فصل اول : مقدمه 1
1-1- مقدمه 2
1-2- اهداف و ساختار پایان ­نامه 6
فصل دوم: نوسان‌سازها و تاثیر نویز بر عملکرد آنها 7
2-1- مقدمه 8
2-2- اصول کلی عملکرد نوسان‌سازها 8
2-2-1- مدل فیدبک نوسان‌ساز 9
2-2-2- مدل مقاومت منفی نوسان‌سازها 10
2-3- انواع نوسان‌سازهای CMOS 11
2-3-1- نوسان‌سازهای حلقوی 15
2-3-2- نوسان‌سازهای LC 18
– توپولوژی تک ترانزیستوری 18
– توپولوژی تفاضلی Cross-Coupled 21
2-3-3- نوسان‌سازهایLC مناسب­ترین انتخاب برای کاربردهای مخابراتی 25
2-4- شبکه ­های LC پسیو 26
2-4-1- تانک RLC موازی 26
2-4-2- تانک RLC سری 28
2-5- ضریب کیفیت تانک 28
2-6- نویز 30
2-6-1- مقدار RMS نویز 31
2-6-2- جمع منابع نویز 31
2-6-3- چگالی طیف توان نویز 32
2-7- منابع نویز در نوسان‌سازها 33
2-7-1- نویز حرارتی 33
2-7-2- نویز شاتکی 35
2-7-3- نویز فلیکر 37
2-8- تعریف نویز فاز 39
2-9- مدل­های نویز فاز 42
2-9-1- مدل لیسون: یک مدل تجربی برای نویز فاز 42
2-9-2- مدل حاجی میری: مدل خطی متغیر با زمان 44
– اثبات فرض تغییر پذیر با زمان بودن نوسان‌ساز 44
– اثبات فرض خطی بودن نوسان‌ساز 47
– منابع نویز Cyclostationary 48
– مزایا و معایب مدل LTV 51
2-10– منابع نویز در نوسان‌ساز LC 52
2-11– روش­های کاهش نویز فاز 53
2-11-1- روش فیلترینگ نویز دنباله 53
2-11-2- موازی کردن خازن با ترانزیستور منبع جریان 56
2-11-3- شکل­دهی جریان ترانزیستورهای سوئیچ با ساختار کسکود 60
2-11-4- تفکیک بایاس گیت از خروجی نوسان‌ساز 64
2-11-5- شبکه­ بایاس آینه جریان بمنظور شکل­دهی جریان ترانزیستورهای سوئیچ. 66
2-12- صورت شایستگی( FOM ) 68
2-13- خلاصه­ی فصل 68
فصل سوم: طراحی یک نوسان‌ساز LC به منظور شکل­دهی جریان ترانزیستورها 69
3-1- مقدمه  70
3-2– تحلیل و طراحی نوسان­ساز LC با جریان شکل دهی شده 73
3-2-1- فرم جریان در نوسان‌ساز LC کلاسیک 73
3-2-2- بررسی شرایط نوسان و محاسبه فرکانس نوسان 74
3-2-3- تحلیل جریان ترانزیستورهای زوج تفاضلی ساختار پیشنهادی و بررسی نویز-
فاز آن 76
3-3– طراحی نوسان‌ساز LC جدید به منظور بهبود جریان شکل­دهی شده ترانزیستورها. 78
3-3-1- بررسی شرایط نوسان­ ساختار پیشنهادی 79
3-3-2- محاسبه­ی دامنه­ی نوسان 80
3-3-3– محاسبه نویز فاز 87

منابع نویز نوسان‌ساز 87
محاسبه نویز فاز محاسبه­ی نویز فاز حاصله از تلفات تانک 88
محاسبه­ی نویز فاز حاصله از نویز حرارتی ترانزیستورهای سوئیچ 88
محاسبه­ی نویز فاز حاصله از نویز حرارتی ترانزیستورهای دنباله 91
محاسبه­ی نویز فاز حاصله از نویز فلیکر ترانزیستورها 91
3-4– بهبود طراحی نوسان‌ساز پیشنهادی 92
3-5– خلاصه­ی فصل 94
 
فصل چهارم: نتایج و تفسیر آنها 95
4-1- مقدمه 96
4-2- نتایج شبیه سازی 96
4-3- نتایج شبیه سازی ساختار تکمیلی نوسان‌ساز LC پیشنهاد شده 102
4-4– مقایسه با کارهای انجام شده پیششین 104
4-5– خلاصه­ی فصل 106
 
فصل پنجم: جمع‌بندی و پیشنهادها 107
5-1- جمع بندی 108
5–2– پیشنهاد برای ادامه کار 108
 
پیوست 110
مراجع 114
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

فصل اول

مقدمه

مقدمه
در سال­های اخیر مخابرات بی­سیم بدون شک از رشد چشم­گیری برخوردار بوده و هم­اکنون کاربران زیادی در دنیا از آن بهره می­برند. در واقع محصولات مخابرات نظیر تلفن همراه، سیستم­های موقعیت­یاب جهانی[1](GPS)، شبکه ­های بی­سیم محلی[2](WLAN)، سنتزکننده­های فرکانسی[3](FS) و غیره امروزه در سراسر جهان کاربرد گسترده­ای دارند. مدارات مجتمع آنالوگ و فرکانس بالا بخش مهمی را در سیستم­های مخابراتی به خود اختصاص داده­اند. به همین دلیل طراحی بهینه مدارات فرکانس بالا و دستیابی به سیستم­هایی با عملکرد بالا، قیمت و توان مصرفی کمتر و اندازه­ کوچکتر برای طراحی فرستنده-گیرنده­های کم­هزینه و کم­حجم از اهمیت خاصی برخوردار است.

انتخاب تکنولوژی مناسب برای طراحی این مدارات اهمیت ویژه­ای دارد. بطور کلی کیفیت عملکرد، هزینه و مدت زمان مورد نیاز برای ارائه به بازار سه پارامتری است که در انتخاب تکنولوژی در صنعت فرکانس بالا تعیین کننده می­باشد. با پیدایش تکنولوژی [4]CMOS و ادامه­ی روند کاهش ابعاد ترانزیستور در آن پیشرفت­های زیادی در مجتمع سازی مدارات فرکانس بالا و آنالوگ ایجاد شده است. از جمله فواید استفاده از تکنولوژی CMOS، امکان قرار دادن بخش­های مختلف یک سیستم مخابراتی بر روی یک تراشه واحد است. به چنین سیستمی یک [5]SOC گفته می شود و شامل مدارات آنالوگ، دیجیتال و فرکانس بالای سیستم­های مخابراتی می باشد. چنین سیستم­هایی بدلیل مزایایی چون کاهش هزینه­ های ساخت و توان مصرفی از اهمیت فوق العاده­ای در محصولات بی­سیم برخوردارند. البته استفاده از تکنولوژی CMOS محدودیت­هایی نیز دارد ولی طراحان قادر به حل آن مشکلات شده ­اند و امروزه این تکنولوژی به طور وسیع در مدارهای فرکانس بالا مورد استفاده قرار می گیرد [1].
 

یکی از مهمترین بلوک­های فرکانس بالا در سیستم های مخابراتی نوسان‌سازها هستند. کلیه فرستنده-گیرنده­های فرکانس بالایی که امروزه مورد استفاده قرار می­گیرند، در داخل خود دارای یک سنتزکننده فرکانس می­باشند که به آن نوسان‌ساز محلی[6] گفته می­شود. وظیفه این بلوک ایجاد یک سیگنال سینوسی است که مطابق شکل 1-1 به کمک آن عمل انتقال طیف فرکانسی سیگنال­های دریافتی و یا ارسالی به فرکانس­های به ترتیب پایین یا بالا انجام می­شود.
 

بلوک دیاگرام یک فرستنده – گیرنده ساده
         پدیده نویز فاز در واقع خارج شدن طیف فرکانسی سیگنال نوسان‌ساز محلی از شکل ایده­آل خود (که یک سیگنال ضربه در فرکانس کار نوسان‌ساز می­باشد) است. هنگامی که کاربران یک سیستم مخابراتی زیاد می­شوند، با توجه به محدودیت­هایی که بر روی پهنای باند وجود دارد، پهنای باندی که به هر کاربر اختصاص ­می­یابد کاهش پیدا می­ کند. اما وجود پدیده نویز فاز باعث می­شود که پهنای باند اختصاصی به هرکاربر را نتوان از یک مقدار حداقلی کمتر کرد. این مسئله باعث ایجاد محدودیت در افزایش تعداد کاربران یک سیستم مخابراتی با پهنای باند ثابت می­شود. به­ همین علت در دهه­های اخیر تحلیل نویز فاز و بررسی تکنیک­های بهبود طراحی مدارات برای VCOها[7] علاقه­مندی­های زیادی در دانشگاه­ها و صنعت بوجود آورد. اما به دلیل پیچیدگی زیاد این پدیده هنوز رابطه­ دقیقی که بسادگی بتواند نویز فاز نوسان‌ساز را بررسی کند بدست نیامده است. دلایلی که رسیدن به یک تحلیل کامل از چگونگی ایجاد نویز فاز را دشوار می­سازد، به طور خلاصه عبارتند از: الف- عملکرد سیگنال بزرگ نوسان‌ساز و صادق نبودن مدل­های خطی برای تحلیل عملکرد آن. ب- ثابت نبودن فرآیند ایجاد نویز فاز در طول یک دوره تناوب نوسان. این دو دلیل بدین معناست که در واقع بررسی نویز فاز معادل بررسی اثر نویز در یک سیستم غیرخطی متغیر با زمان است. عملکرد بسیاری از سیستم­ها به طرق مختلف از نویز تاثیر می­پذیرند. بنابراین داشتن درک درستی از نویز در الکترونیک یکی از مهم­ترین مسائل در سیستم­های مجتمع­شده است. بطور کلی نویز در سیستم­های الکتریکی را می­توان به دو مولفه تقسیم کرد: نویز دامنه و نویز فاز. نویز دامنه میزان تغییرات تصادفی سیگنال الکتریکی حول مقدار واقعی را نشان می­دهد. این تغییرات شناسایی سیگنال مطلوب را

دلایل عدم ارتقای شغلی بانوان در پستهای اختصاصی در سازمان های دولتی شهرستان ساوه
 

استاد راهنما
 

دکتر اشرف شاه منصوری

فهرست  مطالب
چکیده 1
فصل اول:کلیات پژوهش 2
1-1 مقدمه. 3
1-2 بیان مسئله. 4
1-3 ضرورت و اهمیت پژوهش. 6
1-5 فرضیه های پژوهش. 11
1-5-1 فرضیه های فرعی 11
1-6 اهداف پژوهش. 12
1-6-1 اهداف فرعی 12
1-7 تعریف متغیر ها 12
1-7-1 تعریف مفهومی 12
1-7-2 تعریف عملیاتی 14
فصل دوم: ادبیات و پیشینه پژوهش 15
2-1 مبانی نظری 16
2-2 نقش و حقوق زن در جامعه. 17
2-3 زنان در مدیریت. 17
2-4 نگرش‌های  در راستای عدم انتصاب زنان در پست های مدیریتی 18
2-5 باورهای جامعه. 20
2-6 وضعیت مدیران زن در جامعه ایران. 21
2-7 ضرورت تغییر برخی نگرش‌ها جهت از بین بردن سقف شیشه‌ای در ایران. 23
2-8 نگاهی به وضعیت زنان در ایران. 25
2-9 نظریه های مطرح شده در خصوص پژوهش. 37
2-10 چارچوب نظری 41
2-11 پیشینه پژوهش. 49
2-11-1 پیشینه داخلی پژوهش. 49
2-11-2 پژوهش های خارجی 51
فصل سوم: روش شناسی تحقیق 54
3-1 مقدمه. 55
3-2 روش تحقیق 57
3-3 جامعه آماری 57
3-4 روش تعین حجم نمونه. 57
3-5 نمونه آماری و روش نمونه گیری 58
3-6 ابزار تحقیق 59
3-6-1   پرسشنامه محقق ساخته. 59
3-6-2  نحوه محاسبه روایی و پایایی ابزار سنجش. 59
3-6-2-1 روایی 61
3-6-2-2 پایایی 61
3-7 روش تجزیه و تحلیل اطلاعات. 63
فصل چهارم: تجزیه و تحلیل داده ها 64
4-1  مقدمه. 65
4-2 بخش دوم : تحلیل داده ها 66
4-2-1 بررسی آزمون نرمال بودن داده ها 66
4-2-2 آزمون فرضیه ها 67
تحلیل عاملی تاییدی 73
شاخص های برازش مدل. 77
4-3-3 فرضیه های فرعی 78
فصل پنجم: بحث و نتیجه گیری 89
5-1 خلاصه پژوهش. 90
5-2 نتایج حاصل از آزمون فرضیه ها 91
5-3 بحث و نتیجه‌گیری 94
5-4 پیشنهادها 96
5-4-1پیشنهادهای حاصل از نتایج پژوهش. 96
5-4-2 به  طور خلاصه  از نتایج فرضیات میتوان پیشنهادات ذیل  را به صورت کلی ارائه  داد : 97
5-4-3 پیشنهادات برای پژوهشگران آینده 98
منابع فارسی 100
منابع انگلیسی 105
پیوست ها 108
پرسشنامه و خروجی spss. 108
خروجی spss. 111
چکیده
هدف از پژوهش حاضر شناسایی علل عدم ارتقای شغلی بانوان در پست‌های اختصاصی در سازمان‌های دولتی شهرستان ساوه بوده است. جامعه آماری در تحقیق حاضر شامل کلیه زنان شاغل در سازمان‌های دولتی شهرستان ساوه می‌باشد. روش نمونه گیری به صورت تصادفی طبقه‌ای می‌باشد به این صورت که به شیوه طبقه‌ای از بین زنان شاغل در سازمان‌های دولتی شهرستان که مجموع آنها 170 نفر می‌باشد نمونه انتخاب شد. برای تعیین حجم نمونه از فرمول کوکران استفاده شد و تعداد افراد نمونه 102 نفر منظور شد. یه دلیل عدم تکمیل یکی از پرسشنامه‌ها تعداد نمونه در بخش تجزیه و تحلیل داده‌ها 101 نفر منظور گردید . ابزار مورداستفاده شامل پرسشنامه محقق ساخته می باشد به این منظور پس از تایید روایی پرسشنامه به کمک نرم‌افزار spss ضریب آلفای کرنباخ  محاسبه شد و نتایج نشان داد آلفای بدست آمده به اندازه کافی به یک نزدیک است، بنابراین پرسشنامه و در نتیجه داده‌های حاصل از آن و تجزیه و تحلیل آنها معتبر بود. به منظور تجزیه و تحلیل داده ها از نرم افزار spss استفاده شد و برای آزمون فرضیه ها از آزمون t تک متغیره و ازمون فریدمن استفاده شد و برای آزمون فرضیه اصلی از آزمون تحلیل عاملی اکتشافی و تاییدی استفاده شد. در نهایت نتایج نشان داد همه عوامل منجر به خود ناتوان سازی زنان و در نتیجه منجر به ایجاد نگرش منفی نسبت به پست های مدیریتی به زنان و در نهایت منجر به شکل گیری سقف شیشه ای در سازمان های دولتی شهرستان ساوه  شده است و عامل فرهنگی دارای بالاترین اثر می‌باشد.
کلید واژه ها: عدم ارتقای شغلی / پستهای دولتی / زنان
1-1 مقدمه
امروزه مشارکت زنان در امور اقتصادی، فراتر از تأمین نیروی کار ارزان ‌بها یا بدون دستمزد مورد توجه کارشناسان توسعه اقتصادی قرار گرفته است. در جوامع پیش‌رفته‌ صنعتی و کشورهای نوخاسته‌ صنعتی، مشارکت زنان ـ به عنوان کارگزاران توسعه و برخوردار شونده‌گان از آن ـ اصلی پذیرفته شده است. در ایران نیز، برنامه‌ریزی برای پویایی جامعه‌ گسترده زنان ـ که بیش از نیمی از جمعیت کشور را تشکیل می‌دهند ـ امری گریزناپذیر است. عموماً آماری دقیق از سهم مشارکت اجتماعی، اقتصادی و سیاسی زنان ایران در دسترس نیست و وضعیت مشارکت زنان به دلایل مختلف با ابهام و پیچیده گی ویژه‌ا‌ی همراه است. مهم‌ترین عوامل این پیچیده‌گی‌ها، تعصب‌های سنتی و قومی، گوناگونی ساختار فرهنگی و اجتماعی ایران، نبود سازوکارهایی برای در شمار آوردن کار زنان در واحدهای کوچک و سنتی است. به دلیل تعصبات سنتی و قومی، کار زنان در بخش‌های مختلف اقتصادی انکار شده و پنهان مانده است (سازمان برنامه و بودجه، 1378: 155).
گوناگونی ساختارهای اجتماعی باعث شده که کار زنان در فعالیت‌هایی هم چون کشاورزی و صنایع دستی و خانگی، بیشتر در قالبی غیررسمی جای گرفته و وارد آمارهای رسمی کشور نگردد. بسیاری از زنان نیز به صورت کارگران فصلی فعالیت می‌کنند. بدین سان، بیشتر زنان شاغل ایران در بخش‌های غیررسمی اقتصاد کشور مشغول به فعالیت می‌باشند.در ایران، نقش زنان در فرآیند توسعه هنوز به رسمیت شناخته نشده است و عموماً با مشکلات زیادی روبه رو است. اکنون، فعال کردن توان‌مندی‌های بالقوه‌ی زنان در عرصه‌فعالیت‌ها و زندگی اقتصادی ایران، بیش از هر زمان دیگر نیازمند ایجاد دگرگونی در نگرش اجتماعی به زنان و دگرگون نمودن تفکر حاکم بر نظام برنامه‌ریزی‌ها و سیاست‌گذاری‌های کلان کشوری است، که آن نیز نیازمند دسترسی به اطلاعات فراگیر و تحلیل‌های علمی از درون‌مایه‌های این نیروی عظیم جامعه است (صحرائیان، 1378: 334).
این فصل از پژوهش حاضر به کلیات پژوهش می پردازد که شامل تشریح مسئله پژوهشی است در این مبحث پژوهشگر به علل و انگیزه ای که این موضوغ را انتخاب کرده است می پردازد و به طور خلاصه پیشینه‌ای از پژوهشهای انجام شده در این خصوص می پردازد و در نهایت سوال اصلی که مد نظر پژوهشگر است ارائه می شود. در قسمت بعد به ضرورت و اهمیت موضوعه می پردازد که چه اهمیتی انجام این پژوهش دارد و با انجام این پژوهش چه مشکلاتی کاهش می یابد در ادامه هدف اصلی و اهداف فرعی ، فرضیه اصلی و فرضیه های فرعی مطرح می شود و در نهایت مدل

آنتن های میکرواستریپ به دلیل ویژگی منحصر به فردی مانند هزینه ساخت مناسب و وزن کم دارند، به ویژه در سیستم های بی سیم بسیار مورد استفاده قرار می گیرد. یکی از معایب این آنتن بهره نامناسب آن است. تلاش های بسیاری جهت افزایش بهره این آنتن صورت گرفته است، یکی از این موارد، استفاده از ساختار فرامواد به عنوان رولایه[1] آنتن است. فرامواد[2] دارای ساختاری متشکل از اشکال هندسی هستند که ابعاد هر سلول واحد آن از طول موج فضای آزاد بسیار کوچک تر است. این مواد در بازه فرکانسی خاصی دارای ضریب شکست و گذردهی الکتریکی و نفوذ پذیری مغناطیسی منفی هستند. این امر سبب می شود که امواج برخوردی به ساختار فراماده به صورت بازگشتی منتشر شود. جهت استخراج این پارامترها روش های مختلف مورد بررسی قرار می گیرند و روش NRW [3] به دلیل این که پاسخ مناسبی ارائه می دهد، استفاده می شود. در این پروژه چهار سلول فراماده جدید معرفی می شوند. جهت بهبود عملکرد ساختار فراماده از الگوریتم بهینه سازی تجمع ذرات[4] استفاده می شود. این الگوریتم از رفتار طبیعی موجودات الهام می گیرد. در این روش بهینه سازی ذرات در جستجوی بهترین مکان که بیشترین تطبیق را با تابع شایستگی دارد، هستند. در این پایان نامه، کمینه مقدار توان تلفات بازگشتی به عنوان تابع شایستگی تعریف می شود. این الگوریتم از دو نرم افزار مطلب و HFSS به طور همزمان استفاده می نماید. این دو نرم افزار از طریق لینک API و زبان واسط VBS به یکدیگر متصل شده و الگوریتم بهینه سازی اجرا می شود. شرایط مرزی متفاوتی برای این الگوریتم تعریف می شود، در این پایان نامه جهت افزایش بازده الگوریتم بهینه سازی از دیواره های غیر قابل تشخیص استفاده شده است. دامنه حرکت ذرات و سرعت آن ها با توجه به ساختار آنتن تعیین می شود. خروجی برنامه مطلب به عنوان نقطه بهینه برگزیده می شود. سپس با توجه به فرکانس نوسان سلول واحد فراماده، ابعاد آنتن میکرواستریپ محاسبه می شود. با توجه به اینکه تعیین محل دقیق تغذیه نقش بسیار مهمی در عملکرد آنتن ایفا می نماید، جهت تعیین مکان قرارگیری کابل هم محور از الگوریتم بهینه سازی تجمع ذرات استفاده می شود. در نهایت آنتن میکرواستریپ به همراه رولایه که از ساختارهای فرامواد معرفی شده، تشکیل شده است در نرم افزار HFSS شبیه سازی می شود. با توجه به ساختار سلول واحد و ابعاد رولایه، آرایه ای از سلول واحد بر روی آنتن قرار می گیرد. بهره آنتن به طور قابل ملاحظه ای نسبت به آنتن بدون رولایه افزایش می یابد. به طور میانگین افزایش dB 3 الی dB 4 مشاهده می شود. همچنین سمت گرایی آنتن بهبود می یابد و مقدار لوب عقبی نیز کاهش می یابد. این امر نشان میدهد استفاده از فراماده بهینه شده سبب بهبود عملکرد آنتن میکرواستریپ می شود.










فهرست مطالب

عنوان صفحه

فصل اول : مقدمه
1-1-آنتن میکرو استریپ 2
1-1-1-موج بر روی آنتن میکرو استریپ 3
-2-1-1 امواج سطحی. 3
-3-1-1امواج نامتراکم. 5
-4-1-1امواج هدایت شونده. 5
1-1-5- مشخصات آنتن میکرو استریپ 6
-2-1فرامواد. 6
1-2-1- مواد ENG 10
1-2-2- مواد MNG 11
1-2-3- موادDNG 13
1-2-4- کاربرد فرامواد 16
1-3- الگوریتم بهینه سازی تجمع ذرات 17
1-4-اهداف پروژه 21


فصل دوم : مباحث کلی آنتن میکرواستریپ
2-1- مقدمه 23
2-2- مزایا و معایب 25
2-3- روش های تغذیه 26
2-3-1- تغذیه به روش خط میکرو استریپ 26
2-3-2- کابل هم محور 27
2-3-3- تغذیه به روش تزویج روزنه ای 28
2-3-4- تغذیه به روش تزویج الکترو مغناطیسی 29
2-4- روش های تحلیل آنتن میکرو استریپ 30
2-4-1- مدل خط انتقال 31
2-4-2- مدل حفره تشدید 34
2-5- الگوی تشعشعی 37
2-6- بازده تشعشعی 39
2-7- پهنای باند. 41
2-8- امپدانس ورودی 42

فصل سوم : مباحث کلی فرامواد
3-1- مقدمه 45
3-2- انتشار امواج در مواد چپ گرد 46
3- 3- چگالی انرژی و سرعت گروه 48
3-4- ضریب شکست 50
3-5- خواص دیگر فرامواد 51
3-5-1- اثر داپلر معکوس 51
3-5-2- تشعشع چرنکوف بازگشتی 52
3-6- ضرایب انتقال و انعکاس 54
3-6-1- محاسبه ضرایب انتقال و انعکاس در وجه مشترک 54
3-6-2- محاسبه ضرایب انتقال و انعکاس تیغه فرامواد 56
3-7- کاربرد فرامواد در آنتن 57
3-7-1- استفاده از فرامواد به عنوان رولایه آنتن میکرو استریپ 58

فصل چهارم : مباحث کلی استخراج پارامترهای محیطی فرامواد
4-1- مقدمه 66
4-2- روش Smith. 66
4-3- روش Ziolkowski 69
4-4- روش Nicolson Ross Weir. 71
4-5- کاربرد روش های استخراج پارامترهای محیطی 73
4-5-1 سیم باریک 73
4-5-2- SRR 75
4-5-3 ترکیب سیم باریک و SRR 77

فصل پنجم : مباحث کلی الگوریتم بهینه سازی تجمع ذرات
5-1- مقدمه 83
5-2- ساختار الگوریتم تجمع ذرات 84
5-3- تعیین پارامترهای الگوریتم بهینه سازی تجمع ذرات 90
5-4- شرایط مرزی 96
5-5- کاربرد 99

فصل ششم : مدل‌سازی
6-1- مقدمه 103
6-2- ساختار فراماده اول 105
6-3- ساختار فراماده دوم 109
6-4- ساختار فراماده سوم 114
6-5- ساختار فراماده چهارم 118

فصل هفتم : نتایج
7-1- مقدمه 124
7-2- طراحی آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از ساختار فراماده اول 125
7-3- طراحی آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از ساختار فراماده دوم 129
7-4- طراحی آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از ساختار فراماده سوم 133
7-5- طراحی آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از ساختار فراماده چهارم 137
7-6- ساخت آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از ساختار فراماده اول 141

فصل هشتم : نتیجه‌گیری و پیشنهادات
8-1- نتایج 146
8-2- پیشنهادات 147

مراجع 148

























فهرست جداول

عنوان صفحه
جدول 5-1: تعریف پارامترهای الگوریتم تجمع بهینه سازی ذرات 84
جدول 7-1: ابعاد آنتن میکرواستریپ بر اساس فرکانس نوسان ساختار فراماده اول 126
جدول 7-2: ابعاد آنتن میکرواستریپ بر اساس فرکانس نوسان ساختار فراماده دوم 130
جدول 7-3: ابعاد آنتن میکرواستریپ بر اساس فرکانس نوسان ساختار فراماده سوم 134
جدول 7-4: ابعاد آنتن میکرواستریپ بر اساس فرکانس نوسان ساختار فراماده چهارم 138


































فهرست شکل‌ها

عنوان صفحه

شکل 1-1: دوقطبی در نظر گرفته شده بر روی آنتن میکرو استریپ (Garg et al., 2000) 3
شکل1-2 : امواج سطحیGarg et al , 2000)). 4
شکل 1-3 : امواج نامتراکم Garg et al , 2000)). 5
شکل 1-4 : انتشار امواج در محیط راست گرد( Veselago ,1968) 7
شکل 1-5 : انتشار امواج در محیط چپ گرد( Veselago ,1968) 8
شکل 1-6 : اولین آرایه SRR ساخته شده در سال 1998(Smith et al., 2000) 9
الکتریکی منفی( .(Pendry et al., 1998. 10
شکل 1-8 : ساختار سلول واحد با خاصیت ضریب نفوذ پذیری مغناطیسی منفی Limaye, 2006)) 12
شکل 1-9 : نمودار ضریب نفوذ پذیری مغناطیسی برحسب فرکانس ( .(Limaye, 2006. 13
شکل 1-10 : سلول واحد محیط DNGالف)ساختار یک بعدی ب) ساختار دو بعدی(Limaye, 2006) 15
شکل 1-11 : مدل خط انتقال( .(Caloz et al., 2005. 16
شکل 1-12 : شمای عملیاتی الگوریتم بهینه سازی تجمع ذرات 20

شکل 2-1 : ساختار کلی آنتن میکرو استریپ با پچ مستطیلی( .(Balanis,1997 24
شکل 2-2 : اشکال رایج پچ آنتن میکرواستریپ( .(Garg et al., 2001. 24
شکل 2-3 : تغذیه به روش خط میکرو استریپ( .(Garg et al., 2001. 27
شکل 2-4 : تغذیه به روش کابل هم محور ( .(Garg et al., 2001. 28
شکل 2-5 : تغذیه به روش تزویج روزنه ای( .(Garg et al., 2001. 29
شکل 2-6 : تغذیه به روش تزویج الکترومغناطیسی( .(Garg et al., 2001. 30
شکل 2-7 : خط میکرو استریپ( .(Garg et al., 2001. 32
شکل 2- 8 : خطوط میدان الکتریکی( .(Garg et al., 2001. 32
شکل 2-9 : آنتن پچ میکرو استریپ ( .(Balanis, 1997. 33
شکل 2-10 : توزیع بار و ایجاد چگالی جریان در پچ میکرو استریپ .(Lo et al., 1979) 35
شکل 2-11 : جریان الکتریکی مد (0و1) .(Gardiol, 1995) 38
شکل 2-12 : جریان مغناطیسی مد (0و1) .(Gardiol, 1995) 38
شکل 2-13 : مدار معادل آنتن پچ میکرو استریپ.(Jackson et al., 1997) 43

شکل 3-1 : طبقه بندی مواد بر اساس ضریب گذردهی الکتریکی و نفوذ پذیری مغناطیسی.(Engheta et al., 2006) 45
شکل 3-2 : جهت بردار های ، ، و در محیط
راست گرد .(Shamonina et al., 2002) 47
شکل 3-3 : جهت بردار های ، ، و در محیط
چپ گرد .(Shamonina et al., 2002) 47
شکل 3-4 : نمایش شکست موج در محیط چپ گرد.(Marques et al., 2007) 51
شکل 3-5 : تشعشع چرنکوف در محیط راست گرد.(Marques et al., 2007) 53
شکل 3-6 : تشعشع چرنکوف در محیط چپ گرد.(Marques et al., 2007) 53
شکل3-7 : میدان در نزدیکی سطح محیط راست گرد و چپ گرد(Engheta et al., 2006). 55
شکل3-8 : استفاده از فرامواد به عنوان رولایه آنتن میکرواستریپ(Chainmool et al., 2009). 60
شکل3-9 : بهره آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه و مقایسه آن با بهره آنتن بدون رولایه(Chainmool et al., 2009). 61
شکل 3-10 : سلول واحد فرامواد(Majid et al., 2009). 61
شکل 3-11 : بهره آنتن میکرو استریپ در صفحه E (Majid et al., 2009). 62
شکل 3-12 : بهره آنتن میکرو استریپ در صفحه H (Majid et al., 2009). 62
شکل 3-13 : سلول واحد فرامواد(Chainmool et al., 2010). 63
شکل 3-14 : ساختار آنتن به همراه فرامواد به رولایه(Chainmool et al., 2010). 63
شکل 3-15 : بهره آنتن میکرو استریپ به همراه رولایه فرامواد(Chainmool et al., 2010). 64

شکل 4-1 : نمودار قسمت حقیقی ضریب شکست سیم باریک بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Smith . (Wakatsuchi, 2011) 74
شکل 4-2 : نمودار قسمت حقیقی ضریب شکست سیم باریک بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Ziolkowski . (Wakatsuchi, 2011) 74
شکل 4-3 : نمودار قسمت حقیقی امپدانس موجSRR بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Smith . (Wakatsuchi, 2011) 75